单项选择题
多晶硅熔化后放入较多掺杂元素，拉制成晶，然后按标准厚度切片、按电阻率分级、按规定破碎、清洁处理保证纯度，制成母合金，其中最重要的是（）
A.切片
B.电阻率分级
C.破碎
D.清洁处理
点击查看答案
相关考题
- 单项选择题 关于工业硅的制备过程说法正确的是（）
- 单项选择题 直拉法生长单晶硅的热场，各晶向的晶体沿晶向生长所需要的纵向温度梯度，说法正确的是（）
- 单项选择题 硅单晶生长方向和热场关系正确的是（）
- 单项选择题 下列哪项可以增大熔体径向温度梯度（）
- 单项选择题 关于改变单晶体散热的描述正确的是（）
- 单项选择题 特殊情况下，熔体中的纵向温度梯度是负值，关于这种情况描述正确的是（）
- 单项选择题 单晶硅生长时，晶体中的纵向温度梯度过小时会导致什么结果（）
- 单项选择题 动态热场是由下列哪一项决定的（）
- 单项选择题 用直拉单晶炉拉制硅单晶是在高温下进行的，以下哪些部件不需要水冷？（）
- 单项选择题 用直拉法生长硅单晶，当生长界面凸向熔体时下面描述正确的是（）
- 单项选择题 关于粗糙突变界面模型描述正确的是（）
- 单项选择题 非完整突变光滑界面的生长描述错误的是（）
- 单项选择题 下列有关原子生长速度的描述错误的是（）
- 单项选择题 下列哪些是晶体生长的决定因素（）
- 单项选择题 在实际结晶过程中关于晶核成核的描述正确的是（）
- 单项选择题 以下晶体对结晶潜热的相关描述不正确的是（）
- 单项选择题 晶体用腐蚀液腐蚀，硅单晶各晶面腐蚀速率排序正确的是（）
- 单项选择题 晶体生长时，对于硅单晶的各晶面法向生长速度排序正确的是（）
- 单项选择题 晶格结构中（110）晶面的面间距计算正确的是（）
- 单项选择题 关于晶体的微观描述正确的是（）
