考题列表
- 单项选择题 单晶硅是什么晶体结构()
- 单项选择题 下面哪些缺陷是线缺陷()
- 单项选择题 单晶硅结构晶体其单位晶胞占有的原子数为()
- 单项选择题 半导体材料少子寿命与太阳能电池转换效率之间的关系为()
- 单项选择题 以下哪种不是电阻率测试的方法()
- 单项选择题 少子寿命的定义正确的是()
- 单项选择题 少子寿命的检测方法,在文献上报道的检测方法有很多种,其中AS...
- 单项选择题 区分晶体和非晶体最可靠的科学方法是()
- 单项选择题 关于晶体的微观描述正确的是()
- 单项选择题 晶格结构中(110)晶面的面间距计算正确的是()
- 单项选择题 晶体生长时,对于硅单晶的各晶面法向生长速度排序正确的是()
- 单项选择题 晶体用腐蚀液腐蚀,硅单晶各晶面腐蚀速率排序正确的是()
- 单项选择题 以下晶体对结晶潜热的相关描述不正确的是()
- 单项选择题 在实际结晶过程中关于晶核成核的描述正确的是()
- 单项选择题 下列哪些是晶体生长的决定因素()
- 单项选择题 下列有关原子生长速度的描述错误的是()
- 单项选择题 非完整突变光滑界面的生长描述错误的是()
- 单项选择题 关于粗糙突变界面模型描述正确的是()
- 单项选择题 用直拉法生长硅单晶,当生长界面凸向熔体时下面描述正确的是()
- 单项选择题 用直拉单晶炉拉制硅单晶是在高温下进行的,以下哪些部件不需要水冷?()
- 单项选择题 动态热场是由下列哪一项决定的()
- 单项选择题 单晶硅生长时,晶体中的纵向温度梯度过小时会导致什么结果()
- 单项选择题 特殊情况下,熔体中的纵向温度梯度是负值,关于这种情况描述正确的是()
- 单项选择题 关于改变单晶体散热的描述正确的是()
- 单项选择题 下列哪项可以增大熔体径向温度梯度()
- 单项选择题 硅单晶生长方向和热场关系正确的是()
- 单项选择题 直拉法生长单晶硅的热场,各晶向的晶体沿晶向生长所需要的纵向温...
- 单项选择题 关于工业硅的制备过程说法正确的是()
- 单项选择题 多晶硅熔化后放入较多掺杂元素,拉制成晶,然后按标准厚度切片、...
- 单项选择题 扩散系数描述正确的是()
- 单项选择题 硅单晶生长过程中收尾的意义是()
- 单项选择题 旋涡缺陷的形成机理,有几种不同说法,描述正确的是()
- 多项选择题 少子寿命的检测比较麻烦,与客户之间的重复性很难。主要影响因素...
- 多项选择题 碳含量在晶体纵向的分布规律描述正确的是()
- 多项选择题 目前光伏行业使用的传统位错处理方式有()
- 多项选择题 国标规定的标准位错处理方式描述正确的是()
- 多项选择题 下列哪些行为可能会导致断线()
- 多项选择题 上、下轴中那几项硬件参数可能会导致晶体扭曲变形()
- 多项选择题 从工艺的角度考虑,扭曲的原因有哪些()
- 多项选择题 从宏观性质看,晶体与非晶体主要有()区别。