单项选择题
直流光电导衰退法的缺点主要有（）
A.测量下限较高
B.对样品有几何形状和几何尺寸的要求
C.要求制备符合一定要求的欧姆接触
D.仪器线路比较复杂
点击查看答案&解析
相关考题
- 多项选择题 用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（）
- 多项选择题 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（）
- 多项选择题 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）
- 多项选择题 下列有关漩涡缺陷的说法正确的是（）
- 单项选择题 稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）
- 多项选择题 四探针法测量电阻率的测准条件主要有（）
- 多项选择题 目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法，一般主要有（）。
- 多项选择题 国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（）
- 多项选择题 高频光电导衰退法的优点主要有（）
- 多项选择题 高频光电导衰退法的缺点主要有（）
- 多项选择题 测量少数载流子寿命时注入比控制的方法主要有（）方面。
- 多项选择题 半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（）有直接影响。
- 多项选择题 半导体晶体缺陷主要包括（）
- 单项选择题 半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有（）
- 多项选择题 半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（）
- 多项选择题 半导体硅的常用腐蚀剂主要有（）。
- 单项选择题 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（）为宜。
- 单项选择题 漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。
- 单项选择题 位错密度通常采用（）来表示，可在金相显微镜下测定。
- 单项选择题 三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。
