考题列表
- 单项选择题 ()对半导体单晶电化学腐蚀速度的影响最大。
- 单项选择题 ()是半导体中最主要的缺陷,它属于线缺陷。
- 单项选择题 ()是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。
- 单项选择题 ()是最简单的点缺陷。
- 单项选择题 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为()
- 单项选择题 半导体器件厂就是用一定型号的()来生产出所需要的半导体元件。
- 单项选择题 层错属于()
- 单项选择题 缓冲剂一般是()。
- 单项选择题 冷热探笔法属于利用半导体的()来测量导电类型的方法。
- 单项选择题 目前国内外广泛采用()测量半导体硅单晶电阻率。
- 单项选择题 三探针法属于利用半导体的()来测量导电类型的方法。
- 单项选择题 位错密度通常采用()来表示,可在金相显微镜下测定。
- 单项选择题 漩涡缺陷是晶体中()的局部聚集。
- 单项选择题 用冷热探笔法测量导电类型时,热探笔的温度要适当,以()为宜。
- 多项选择题 半导体硅的常用腐蚀剂主要有()。
- 多项选择题 半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有()
- 单项选择题 半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有()
- 多项选择题 半导体晶体缺陷主要包括()
- 多项选择题 半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的()有直接影响。
- 多项选择题 测量少数载流子寿命时注入比控制的方法主要有()方面。
- 多项选择题 高频光电导衰退法的缺点主要有()
- 多项选择题 高频光电导衰退法的优点主要有()
- 多项选择题 国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有()
- 多项选择题 目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法,一般主要有()。
- 多项选择题 四探针法测量电阻率的测准条件主要有()
- 单项选择题 稳态法测量非平衡少数载流子寿命,主要采用的方法有()
- 多项选择题 下列有关漩涡缺陷的说法正确的是()
- 多项选择题 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用()
- 多项选择题 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有()
- 多项选择题 用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有()
- 单项选择题 直流光电导衰退法的缺点主要有()
- 多项选择题 直流光电导衰退法的优点主要有()
- 判断题 半导体的陷阱中心数量是变化的。
- 判断题 半导体硅在酸碱中所受到的腐蚀都属于电化学腐蚀。
- 判断题 半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。
- 判断题 被腐蚀的半导体电极电位低的是负极,电极电位高的是正极,正级被...
- 判断题 当半导体内注入了非平衡载流子后,一方面依靠体内的杂质和缺陷作...
- 判断题 测量半导体硅单晶导电类型时,通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。
- 判断题 腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。
- 判断题 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的测量下限一般为10...