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直拉单晶硅工艺学
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填空题
各种面缺陷的形成都和（）形成有关。
【参考答案】
位错
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填空题
单晶尾面脱离熔硅后，由于（）作用往往产生位错，沿滑移面向单晶内部延伸。
填空题
硅单晶是典型的（）结构，并且是（）结合，（）是硅单晶的主要滑移面。
填空题
位错滑移只扩大滑移区，攀移需要（）扩散，伴有质量输送。
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