相关考题
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单项选择题
（）具有不同的低频小信号电路模型。
A.NPN型管和PNP型管
B.增强型场效应管和耗尽型场效应管
C.N沟道场效应管和P沟道场效应管
D.晶体管和场效应管 -
单项选择题
输入（）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A.正弦小信号
B.低频大信号
C.低频小信号
D.高频小信号 -
单项选择题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。
A.NPN型低频小功率硅晶体管
B.NPN型高频小功率硅晶体管
C.PNP型低频小功率锗晶体管
D.NPN型低频大功率硅晶体管
