单项选择题
在显影过程中，对于正性抗蚀剂，显影液的使用要求是（）。
A.显影液可以使用丁酮
B.显影液可以使用甲苯
C.显影液可以使用丙酮
D.显液可以使用甲基异丁基酮和异丙醇的1：1混合液
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单项选择题
当需要刻蚀的图形尺寸大于3um时，一般使用（）。
A.湿法刻蚀
B.溅射刻蚀
C.等离子体刻蚀
D.反应离子刻蚀 -
单项选择题
兼具有各向异性刻蚀的优点，又有可接受的选择比的刻蚀方法是（）。
A.湿法刻蚀
B.溅射刻蚀
C.等离子体刻蚀
D.反应离子刻蚀 -
单项选择题
假设光刻胶的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度为4000块，如果要求经过30秒的刻蚀后，厚度变为1400埃，那么这个过程中刻蚀速率是（）埃/分钟。
A.5200
B.1200
C.9200
D.8000
