考题列表
- 单项选择题 环境温度的变化可影响硅片的涂胶均匀性，通常将环境温度设定于（）。
- 单项选择题 光刻胶对人部分可见光敏感，但对（）光不敏感。
- 单项选择题 高压汞灯作为紫外光源被使用有常规i线步进光刻机上，那么i线的...
- 单项选择题 坚膜烘焙在加热平板上进行，温度控制在（）。
- 单项选择题 在显影过程中，对于正性抗蚀剂，显影液的使用要求是（）。
- 单项选择题 当需要刻蚀的图形尺寸大于3um时，一般使用（）。
- 单项选择题 兼具有各向异性刻蚀的优点，又有可接受的选择比的刻蚀方法是（）。
- 单项选择题 假设光刻胶的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度为4000块，如...
- 单项选择题 通过分析刻蚀前后刻蚀腔内的成分来判断是否达到终点的终点检测方法是（）
- 单项选择题 刻蚀氮化硅薄膜时，可以用加热的磷酸进行刻蚀，此时的温度一般设置在（）
- 单项选择题 一般情况下，刻蚀完成后需要进行的操作是（）
- 多项选择题 最常用的砷化橡的湿法刻蚀腐蚀液包括（）
- 多项选择题 回态源扩散的杂质源有（）
- 多项选择题 在离子注入完成后，检验到硅片表面有颗粒污染严重的情况，该情况...
- 多项选择题 分结深是重要的结构参数，在检验时发现超浅结注入时，判断其造成...
- 多项选择题 以下是离子注入过程中的主要参数的是（）
- 多项选择题 下列可能造成离子源沾污的因素是（）
- 多项选择题 离子注入机扫描系统中，采用的扫描方式有（）
- 多项选择题 传统的平坦化技术有（）
- 多项选择题 金属薄膜制备中常见的溅射方式有（）
- 多项选择题 铝的电迁移可能导致的结果是（）
- 多项选择题 影响显影工艺的因素有（）。
- 多项选择题 下列哪些是进行光刻前的预处理的步骤？（）
- 多项选择题 根据曝光模式，光制机的种类分为（）。
- 多项选择题 刻蚀的过程中，对刻蚀的要求是（）
- 多项选择题 以下属于刻蚀环节质量要求的是（）
- 多项选择题 最常用的砷化镓的湿法刻蚀腐蚀液包括（）
- 单项选择题 （）可以通过带电粒子在盛场作用下做运动把粒子进行筛选，挑选出...
- 单项选择题 利用高温驱动杂质渗透进半导体内，此工序采用的设备是（）
- 单项选择题 电子束蒸发中有一个特殊的部件是（）
- 单项选择题 通常钽、钴、镍等难溶金属应用于（）
- 单项选择题 解决金属铝与衬底之间肖特基接触的方法有（）。
- 问答题 调试和维修电路时排除故障的一般程序和方法是怎样的？
- 问答题 说明功能检测工装的制作原理？
- 问答题 叙述测试晶体管的方法？
- 问答题 试说明ICT测试电阻器阻值的原理？为什么要加隔离点？
- 问答题 ICT的作用是什么？
- 问答题 固化贴片胶有几种方法？
- 问答题 涂敷贴片胶有哪些技术要求？
- 问答题 涂敷贴片胶有几种方法？请详细说明。
