相关考题
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单项选择题
用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（）为宜。
A.30～50℃
B.40～60℃
C.50～70℃
D.60～80℃ -
单项选择题
漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。
A.线缺陷
B.微缺陷
C.面缺陷
D.点缺陷 -
单项选择题
位错密度通常采用（）来表示，可在金相显微镜下测定。
A.线密度
B.体密度
C.面密度
D.以上皆不是
