考题列表
- 填空题 用来做芯片的高纯硅被称为(),英文简称(),有时也被称为()。
- 填空题 单晶硅生长常用()和()两种生长方式,生长后的单晶硅被称为()。
- 填空题 晶圆的英文是(),其常用的材料是()和()。
- 填空题 晶圆制备的九个工艺步骤分别是()、整型、()、磨片倒角、刻蚀...
- 填空题 从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是()、...
- 填空题 CZ直拉法生长单晶硅是把()变为()并且()的固体硅锭。
- 填空题 CZ直拉法的目的是()。
- 填空题 影响CZ直拉法的两个主要参数是()和()。
- 填空题 晶圆制备中的整型处理包括()、()和()。
- 填空题 制备半导体级硅的过程:1、();2、();3、()。
- 填空题 热氧化工艺的基本设备有三种()、()和()。
- 填空题 根据氧化剂的不同,热氧化可分为()、()和()。
- 填空题 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分()、()、气体分...
- 填空题 选择性氧化常见的有()和(),其英语缩略语分别为LOCOS和()。
- 填空题 列出热氧化物在硅片制造的4种用途()、()、场氧化层和()。
- 填空题 硅片上的氧化物主要通过()和()的方法产生,由于硅片表面非常...
- 填空题 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所,它由垂直的()、()...
- 填空题 目前常用的CVD系统有()、()和()。
- 填空题 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是(),第二步是(),第...
- 填空题 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文...
- 填空题 在外延工艺中,如果膜和衬底材料(),例如硅衬底上长硅膜,这样...
- 填空题 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄,就容易导致高的()、()或者...
- 填空题 对芯片互连的金属和金属合金来说,它所必备一些要求是()、高黏...
- 填空题 在半导体制造业中,最早的互连金属是(),在硅片制造业中最普通...
- 填空题 写出三种半导体制造业的金属和合金()、()和()。
- 填空题 终点检测是指()的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度...
- 填空题 硅片平坦化的四种类型分别是()、部分平坦化、()和()。
- 填空题 CMP是一种表面()的技术,它通过硅片和一个抛光头之间的相对...
- 填空题 光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是...
- 填空题 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是()、()和()。
- 填空题 随着铜布线中大马士革工艺的引入,金属化工艺变成刻蚀()以形成...
- 填空题 刻蚀是用()或()有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程...
- 填空题 刻蚀剖面指的是(),有两种基本的刻蚀剖面()刻蚀剖面和()刻蚀剖面。
- 填空题 扩散是物质的一个基本性质,分为三种形态()扩散、()扩散和()扩散。
- 填空题 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散...
- 填空题 扩散是物质的一个基本性质,描述了()的情况。其发生有两个必要...
- 填空题 集成电路制造中掺杂类工艺有()和()两种。
- 填空题 硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤()、()和()。
- 填空题 热扩散利用()驱动杂质穿过硅的晶体结构,这种方法受到()和(...
- 填空题 芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区:扩散区、()、刻蚀区...