问答题
试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。
电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带,即允带和禁带。温度升高,则电子的共有化运动加剧,导致允带进一步分裂、变宽;允......
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问答题 什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。
问答题 证明:对于能带中的电子,K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即:v(k)=-v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零。
问答题 室温下,本征锗的电阻率为47Ω·cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s,且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。