问答题
室温下，n型硅样品中，掺杂浓度ND=1016cm-3。光均匀照射Si样品上，电子-空穴对的产生率为1.25×1020cm-3s-1，样品寿命为8μs。计算无光照和有光照的电导率。其中，已知q=1.6×10-19C
问答题 试计算问题（2）中杂质半导体的电阻率与本征硅的电阻率的比值。
问答题 画出问题（2）中杂质半导体的能带图，并确定费米能级相对于EC的位置
问答题 当在本征硅中掺入百万分之一的砷（As）后，设杂质全部电离，试计算电子浓度和空穴浓度。
