多项选择题
用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（）
A.两探针法 B.四探针法 C.范德堡法 D.扩展电阻法
多项选择题 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（）
多项选择题 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）
多项选择题 下列有关漩涡缺陷的说法正确的是（）
