问答题 请选出正确选项填入括号内 在室温下，半导体Si中掺入浓度为1014cm-3的磷杂质后，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为1.1×1015cm-3的硼杂质，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；如果，此时温度从室温升高至K550，则杂质半导体费米能级的位置（）。（已知：室温下，ni=1010cm-3；K550时，ni=1017cm-3）

多项选择题 电离后向半导体提供空穴的杂质是（），电离后向半导体提供电子的杂质是（）。

问答题 计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。