多项选择题
电离后向半导体提供空穴的杂质是(),电离后向半导体提供电子的杂质是()。
A. 受主杂质 B. 施主杂质 C. 中性杂质
问答题 计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
问答题 计算能量在E=Ec到E=Ec+之间单位体积中的量子态数。
问答题 磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV,相对介电常数εr=11.1,空穴的有效质量mp*=0.86m0,m0为电子的惯性质量,求 ①受主杂质电离能; ②受主束缚的空穴的基态轨道半径。