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半导体物理

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问答题

计算题

计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

【参考答案】

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问答题 磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV,相对介电常数εr=11.1,空穴的有效质量mp*=0.86m0,m0为电子的惯性质量,求 ①受主杂质电离能; ②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

问答题 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV,相对介电常数εr=17,电子的有效质量mn*=0.015m0,m0为电子的惯性质量,求 ①施主杂质的电离能 ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

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