多项选择题
半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有()
A.星型结构 B.杂质析出 C.系属结构 D.点缺陷
多项选择题 半导体硅的常用腐蚀剂主要有()。
单项选择题 用冷热探笔法测量导电类型时,热探笔的温度要适当,以()为宜。
单项选择题 漩涡缺陷是晶体中()的局部聚集。