单项选择题
()具有不同的低频小信号电路模型。
A.NPN型管和PNP型管 B.增强型场效应管和耗尽型场效应管 C.N沟道场效应管和P沟道场效应管 D.晶体管和场效应管
单项选择题 输入()时,可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
单项选择题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。
单项选择题 某NPN型管电路中,测得UBE=0V,UBC=—5V,则可知管子工作于()状态。