单项选择题
对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近Ei
A. Ec B. Ev C. Eg D. E<sub>F</sub>
单项选择题 在Si材料中掺入P,则引入的杂质能级()。
填空题 在热力学温度零度时,能量比FF小的量子态被电子占据的概率为(),当温度大于热力学温度零度时,能量比EF小的量子态被电子占据的概率为()。
填空题 将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起()杂质作用,若Si取代As则起()杂质作用。