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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员(三级)

单项选择题

刻蚀氮化硅薄膜时,可以用加热的磷酸进行刻蚀,此时的温度一般设置在()

    A.70~100℃
    B.130~150℃
    C.150~170℃
    D.170~200℃

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