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单项选择题
pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A.扩散层质量
B.设计
C.光刻 -
单项选择题
器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
A.掩膜版
B.扩散
C.光刻 -
单项选择题
反应离子腐蚀是（）。
A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
