相关考题
-
多项选择题
硅外延生长工艺包括（）。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度，生长压力，生长速度
D.尾气的处理 -
单项选择题
位错的形成原因是（）。
A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对 -
单项选择题
下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）
A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构
