考题列表
- 判断题 表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与...
- 判断题 金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或...
- 判断题 在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它...
- 判断题 光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
- 判断题 干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。（）
- 判断题 设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理，可直接进入净化区。（）
- 判断题 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的...
- 判断题 半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.（）
- 判断题 离子源是产生离子的装置。（）
- 判断题 液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）
- 判断题 抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、...
- 判断题 位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规...
- 判断题 点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的...
- 判断题 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电...
- 判断题 单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，...
- 判断题 低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和...
- 判断题 值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验...
- 判断题 片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺陷少，均匀性、重复性...
- 判断题 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
- 判断题 硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）
- 判断题 可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。（）
- 判断题 在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
- 判断题 丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。（）
- 判断题 厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失...
- 判断题 厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。（）
- 判断题 厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，...
- 判断题 钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。（）
- 判断题 设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。（）
- 判断题 退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。（）
- 判断题 目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂...
- 判断题 晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。（）
- 判断题 门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列（）
- 判断题 逻辑电路只能处理“非O即1“这两个值。（）
- 判断题 双极晶体管中只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。（）
- 问答题 集成电容主要有哪几种结构？
- 问答题 叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。
- 问答题 什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
- 问答题 集成电路封装有哪些作用？
- 问答题 对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。
- 问答题 为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？
