多项选择题
在离子注入完成后，检验到硅片表面有颗粒污染严重的情况，该情况引起的主要问题有（）
A.在局部阻挡掺杂B.对器件结构造成连接或短路C.对微小器件结构造成沟型损伤D.整片硅片报废
多项选择题 分结深是重要的结构参数，在检验时发现超浅结注入时，判断其造成原因有（）
多项选择题 以下是离子注入过程中的主要参数的是（）
多项选择题 下列可能造成离子源沾污的因素是（）
