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单项选择题
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
A.能量
B.剂量 -
多项选择题
硅外延片的应用包括（）。
A.二极管和三极管
B.电力电子器件
C.大规模集成电路
D.超大规模集成电路 -
多项选择题
硅外延生长工艺包括（）。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度，生长压力，生长速度
D.尾气的处理
